NCD13C
类别:
性能特点
● 工作温度:-55℃~+125℃
● 典型工作电压:28V
● 驱动能力:1.5A
● 输出高电平:28V
● 输出低电平:14.5V
● 驱动高压 PMOS 功率管
● 最高频率可达 100KHz1)
● 关断放电功能
● 工作温度:-55℃~+125℃
● 典型工作电压:28V
● 驱动能力:1.5A
● 输出高电平:28V
● 输出低电平:14.5V
● 驱动高压 PMOS 功率管
● 最高频率可达 100KHz1)
● 关断放电功能
产品介绍
性能特点
● 工作温度:-55℃~+125℃
● 典型工作电压:28V
● 驱动能力:1.5A
● 输出高电平:28V
● 输出低电平:14.5V
● 驱动高压 PMOS 功率管
● 最高频率可达 100KHz1)
● 关断放电功能
应用领域
● 功率 PMOSFET 栅极驱动
产品简介
NCD13C 是一款 28V 高速 PMOS 功率管驱动器,具有 1.5A 的驱动能力,主要用于和 PMOS 功率管结合形成 GaN 功率放大器的电源调制系统。该驱动器不具有负控正能力,需添加单独的负控正芯片,从
而控制 GaN 功率放大器的上电顺序,实现上电延迟时间,保护功放正常工作。该芯片具有关断放电功能,当 PMOS 关断后,负载上的剩余电荷可通过 DOWN 引脚全部泄放,从而提高负载上电平的转化效率。
芯片尺寸:1.5 mm×1.76 mm×0.3mm。
关键词:
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