NCD36C
类别:
NCD36C 是一款 50V GaN 功放调制用负压使能 PMOS 驱动器芯片,具有 1.5A 的驱动能力,主要用于 GaN功率放大器的电源调制系统中,驱动高压 PMOS 功率管输出调制电压。该驱动器具有负控正功能,能够控制 GaN 功率放大器的上电顺序,并能实现上电延迟时间可调,且该延迟时间可通过调节 CAP 引脚的外接电容大小来实现。另外该芯片当 PMOS 关断后,负载上的剩余电荷可通过 LO 端控制外接 NMOS 功率管全部泄放,从而提高负载上电平的转化效率。芯片尺寸:2.33 mm×2.53 mm×0.3mm。
产品介绍
性能特点
● 工作温度:-55℃~+125℃
● 典型工作电压:50V
● 驱动能力:1.5A
● HO 输出高电平:50V
● HO 输出低电平:37V
● 驱动高压 PMOS 功率管
● 负控正延迟时间可调
● 最高频率可达 300KHz1)
应用领域
● 功率 PMOSFET 栅极驱动
● 脉冲型 20~70V 功放调制及上电控制
● 连续波型 20~70V 功放上电控制
产品简介
NCD36C 是一款 50V GaN 功放调制用负压使能 PMOS 驱动器芯片,具有 1.5A 的驱动能力,主要用于 GaN功率放大器的电源调制系统中,驱动高压 PMOS 功率管输出调制电压。该驱动器具有负控正功能,能够控制 GaN 功率放大器的上电顺序,并能实现上电延迟时间可调,且该延迟时间可通过调节 CAP 引脚的外接电容大小来实现。另外该芯片当 PMOS 关断后,负载上的剩余电荷可通过 LO 端控制外接 NMOS 功率管全部泄放,从而提高负载上电平的转化效率。芯片尺寸:2.33 mm×2.53 mm×0.3mm。
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