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NCD25C-09B


NCD25C-09B 驱动器输出尖峰电流为 9A,内部主要集成施密特触发器、负控正电路、缓冲器和输出驱动级,静态功耗低,体积小,可将较低的输入控制电压升压至供电电压。NCD25C-09B 驱动器还具有输出电阻小、尖峰电流大、开关速度快等特点,适合用于驱动电容负载和电阻负载。

产品介绍

性能特点

● 输出尖峰电流:9A

● 典型工作电压:5~18V

● 静态电流:≤1mA

● 上升/下降沿时间:40ns/45ns

● 信号延迟时间:45ns

● 负压使能的延迟时间外部可调

应用领域

● MOSFET 驱动器

● 脉冲调制器

● 方波发生器

产品简介

NCD25C-09B 驱动器输出尖峰电流为 9A,内部主要集成施密特触发器、负控正电路、缓冲器和输出驱动级,静态功耗低,体积小,可将较低的输入控制电压升压至供电电压。NCD25C-09B 驱动器还具有输出电阻小、尖峰电流大、开关速度快等特点,适合用于驱动电容负载和电阻负载。

NCD25C-09B 内部集成一个反向通道。芯片带有负压使能功能。当使能信号为-5V 时,芯片正常工作;当使能信号为 0V 时,芯片输出恒为高电平。使能信号到输出的延迟时间可以通过改变 CAP 外接电容的容值来调节。

芯片尺寸:1.2 mm×1.45 mm×0.3 mm。

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